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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFQ60N25X3
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFQ60N25X3 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFQ60N25X3
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFQ60N25X3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
IXFx60N25X3.pdf
État RoHS
En stock: 6439

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFQ60N25X3
IXYS - IXFQ60N25X3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFQ60N25X3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries HiPerFET™, Ultra X3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 320W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3610 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFQ60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFQ60N25X3

Attributs du produit IXFQ60N25X3 IXFR140N30P IXFR180N06 IXFR12N100Q
Modèle de produit IXFQ60N25X3 IXFR140N30P IXFR180N06 IXFR12N100Q
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Dissipation de puissance (max) 320W (Tc) 300W (Tc) 560W (Tc) 250W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries HiPerFET™, Ultra X3 HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc) 70A (Tc) 180A (Tc) 10A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3610 pF @ 25 V 14800 pF @ 25 V 7650 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 250 V 300 V 60 V 1000 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V 420 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V 26mOhm @ 70A, 10V 5mOhm @ 90A, 10V 1.1Ohm @ 6A, 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-3P ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base IXFQ60 IXFR140 IXFR180 IXFR12
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA 5V @ 8mA 4V @ 8mA 5.5V @ 4mA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique IXFQ60N25X3 PDF

Téléchargez IXFQ60N25X3 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFQ60N25X3 - IXYS.

Conception / spécification PCN
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Feuilles de données
IXFx60N25X3.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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