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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFR100N25
IXFR100N25 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFR100N25 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFR100N25
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFR100N25
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXFR100N25.pdf
En stock: 3990

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFR100N25
IXYS - IXFR100N25 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFR100N25

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOPLUS247™  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 400W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 87A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFR100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFR100N25

Attributs du produit IXFR100N25 IXFP76N15T2 IXFP7N80PM IXFR12N100Q
Modèle de produit IXFR100N25 IXFP76N15T2 IXFP7N80PM IXFR12N100Q
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V 5800 pF @ 25 V 1890 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur ISOPLUS247™ TO-220-3 TO-220-3 ISOPLUS247™
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, TrenchT2™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q Class
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 50A, 10V 20mOhm @ 38A, 10V 1.44Ohm @ 3.5A, 10V 1.1Ohm @ 6A, 10V
Package / Boîte TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 97 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IXFR100 IXFP76 IXFP7N80 IXFR12
Dissipation de puissance (max) 400W (Tc) 350W (Tc) 50W (Tc) 250W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 87A (Tc) 76A (Tc) 3.5A (Tc) 10A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 4.5V @ 250µA 5V @ 1mA 5.5V @ 4mA
Tension drain-source (Vdss) 250 V 150 V 800 V 1000 V

Fiche technique IXFR100N25 PDF

Téléchargez IXFR100N25 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFR100N25 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Feuilles de données
IXFR100N25.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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