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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFR24N100
IXFR24N100 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFR24N100 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFR24N100
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFR24N100
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXFR24N100.pdf
État RoHS
En stock: 2296

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFR24N100
IXYS - IXFR24N100 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFR24N100

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOPLUS247™  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 416W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 267 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFR24  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFR24N100

Attributs du produit IXFR24N100 IXFR200N10P IXFR20N120P IXFR24N50Q
Modèle de produit IXFR24N100 IXFR200N10P IXFR20N120P IXFR24N50Q
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 12A, 10V 9mOhm @ 100A, 10V 630mOhm @ 10A, 10V 230mOhm @ 12A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IXFR24 IXFR200 IXFR20 IXFR24
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8700 pF @ 25 V 7600 pF @ 25 V 11100 pF @ 25 V 3900 pF @ 25 V
Emballer Tube Box Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA 5V @ 8mA 6.5V @ 1mA 4.5V @ 4mA
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 100 V 1200 V 500 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 267 nC @ 10 V 235 nC @ 10 V 193 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Package composant fournisseur ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 416W (Tc) 300W (Tc) 290W (Tc) 250W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc) 133A (Tc) 13A (Tc) 22A (Tc)
Fonction FET - - - -
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™

Fiche technique IXFR24N100 PDF

Téléchargez IXFR24N100 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFR24N100 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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