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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFQ20N50P3
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFQ20N50P3 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFQ20N50P3
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFQ20N50P3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
IXFx20N50P3.pdf
État RoHS
En stock: 13477

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFQ20N50P3
IXYS - IXFQ20N50P3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFQ20N50P3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries HiPerFET™, Polar3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 380W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFQ20  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFQ20N50P3

Attributs du produit IXFQ20N50P3 IXFR120N20 IXFP6N120P IXFP90N20X3
Modèle de produit IXFQ20N50P3 IXFR120N20 IXFP6N120P IXFP90N20X3
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) 105A (Tc) 6A (Tc) 90A (Tc)
Numéro de produit de base IXFQ20 IXFR120 IXFP6N120 IXFP90
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Ultra X3
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA 4V @ 8mA 5V @ 1mA 4.5V @ 1.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 10A, 10V 17mOhm @ 60A, 10V 2.4Ohm @ 500mA, 10V 12.8mOhm @ 45A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 500 V 200 V 1200 V 200 V
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 380W (Tc) 417W (Tc) 250W (Tc) 390W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 2830 pF @ 25 V 5420 pF @ 25 V
Package composant fournisseur TO-3P ISOPLUS247™ TO-220-3 TO-220-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V

Fiche technique IXFQ20N50P3 PDF

Téléchargez IXFQ20N50P3 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFQ20N50P3 - IXYS.

Conception / spécification PCN
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Feuilles de données
IXFx20N50P3.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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