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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFR180N07
IXFR180N07 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFR180N07 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFR180N07
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFR180N07
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXFR180N07.pdf
État RoHS
En stock: 5470

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFR180N07
IXYS - IXFR180N07 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFR180N07

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOPLUS247™  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 417W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 420 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 70 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFR180  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFR180N07

Attributs du produit IXFR180N07 IXFR180N085 IXFR12N100Q IXFR24N100
Modèle de produit IXFR180N07 IXFR180N085 IXFR12N100Q IXFR24N100
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc) 180A (Tc) 10A (Tc) 22A (Tc)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Package composant fournisseur ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 500mA, 10V 7mOhm @ 500mA, 10V 1.1Ohm @ 6A, 10V 390mOhm @ 12A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 8700 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 420 nC @ 10 V 320 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 267 nC @ 10 V
Séries HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IXFR180 IXFR180 IXFR12 IXFR24
Dissipation de puissance (max) 417W (Tc) 400W (Tc) 250W (Tc) 416W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 4V @ 8mA 5.5V @ 4mA 5.5V @ 8mA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 70 V 85 V 1000 V 1000 V

Fiche technique IXFR180N07 PDF

Téléchargez IXFR180N07 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFR180N07 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Feuilles de données
IXFR180N07.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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