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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN100N20
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN100N20 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN100N20
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN100N20
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFK90N20, IXFN(100,106)N20.pdf
État RoHS
En stock: 5280

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN100N20
IXYS - IXFN100N20 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN100N20

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 520W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN100N20

Attributs du produit IXFN100N20 IXFK98N50P3 IXFN100N10S3 IXFN100N50Q3
Modèle de produit IXFN100N20 IXFK98N50P3 IXFN100N10S3 IXFN100N50Q3
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q3 Class
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V 13100 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 13800 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 98A (Tc) 100A (Tc) 82A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V 197 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 255 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 520W (Tc) 1300W (Tc) 360W (Tc) 960W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 4mA 6.5V @ 8mA
Package composant fournisseur SOT-227B TO-264AA (IXFK) SOT-227B SOT-227B
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base IXFN100 IXFK98 IXFN100 IXFN100
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 500mA, 10V 50mOhm @ 500mA, 10V 15mOhm @ 500mA, 10V 49mOhm @ 50A, 10V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 200 V 500 V 100 V 500 V
Emballer Tube Tube Tube Tube

Fiche technique IXFN100N20 PDF

Téléchargez IXFN100N20 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFN100N20 - IXYS.

Feuilles de données
IXFK90N20, IXFN(100,106)N20.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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