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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN100N50Q3
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN100N50Q3 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN100N50Q3
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN100N50Q3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFN100N50Q3.pdf
État RoHS
En stock: 950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN100N50Q3
IXYS - IXFN100N50Q3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN100N50Q3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™, Q3 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 960W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 82A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN100N50Q3

Attributs du produit IXFN100N50Q3 IXFN100N10S1 IXFN100N65X2 IXFN120N65X2
Modèle de produit IXFN100N50Q3 IXFN100N10S1 IXFN100N65X2 IXFN120N65X2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Dissipation de puissance (max) 960W (Tc) 360W (Tc) 595W (Tc) 890W (Tc)
Séries HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Ultra X2
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 100 V 650 V 650 V
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 183 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA 4V @ 4mA 5V @ 4mA 5.5V @ 8mA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IXFN100 IXFN100 IXFN100 IXFN120
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13800 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V 15500 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 82A (Tc) 100A (Tc) 78A (Tc) 108A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 50A, 10V 15mOhm @ 500mA, 10V 30mOhm @ 50A, 10V 24mOhm @ 54A, 10V

Fiche technique IXFN100N50Q3 PDF

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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