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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFL34N100
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFL34N100 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFL34N100
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFL34N100
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXFL34N100.pdf
État RoHS
En stock: 1145

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFL34N100
IXYS - IXFL34N100 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFL34N100

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOPLUS264™  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 550W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFL34  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFL34N100

Attributs du produit IXFL34N100 IXFN100N20 IXFK98N50P3 IXFK90N20Q
Modèle de produit IXFL34N100 IXFN100N20 IXFK98N50P3 IXFK90N20Q
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 13100 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 100A (Tc) 98A (Tc) 90A (Tc)
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Séries HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™, Q Class
Package composant fournisseur ISOPLUS264™ SOT-227B TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 4V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 4mA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 550W (Tc) 520W (Tc) 1300W (Tc) 500W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 197 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 30A, 10V 23mOhm @ 500mA, 10V 50mOhm @ 500mA, 10V 22mOhm @ 45A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base IXFL34 IXFN100 IXFK98 IXFK90
Type de montage Through Hole Chassis Mount Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 200 V 500 V 200 V
Emballer Tube Tube Tube Tube

Fiche technique IXFL34N100 PDF

Téléchargez IXFL34N100 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFL34N100 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Feuilles de données
IXFL34N100.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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