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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN100N25
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN100N25 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN100N25
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN100N25
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFN100N25.pdf
En stock: 5090

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN100N25
IXYS - IXFN100N25 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN100N25

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 600W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN100N25

Attributs du produit IXFN100N25 IXFN106N20 IXFN100N50Q3 IXFN120N20
Modèle de produit IXFN100N25 IXFN106N20 IXFN100N50Q3 IXFN120N20
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 500mA, 10V 20mOhm @ 500mA, 10V 49mOhm @ 50A, 10V 17mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 250 V 200 V 500 V 200 V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Séries HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™
Numéro de produit de base IXFN100 IXFN106 IXFN100 IXFN120
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 4V @ 8mA 6.5V @ 8mA 4V @ 8mA
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 13800 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 255 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 106A (Tc) 82A (Tc) 120A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 600W (Tc) 521W (Tc) 960W (Tc) 600W (Tc)

Fiche technique IXFN100N25 PDF

Téléchargez IXFN100N25 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFN100N25 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Feuilles de données
IXFN100N25.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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