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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN100N10S2
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN100N10S2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN100N10S2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN100N10S2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFN100N10S1/2/3.pdf
En stock: 5230

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN100N10S2
IXYS - IXFN100N10S2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN100N10S2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN100N10S2

Attributs du produit IXFN100N10S2 IXFN100N25 IXFK98N50P3 IXFN100N20
Modèle de produit IXFN100N10S2 IXFN100N25 IXFK98N50P3 IXFN100N20
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 197 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 13100 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 500mA, 10V 27mOhm @ 500mA, 10V 50mOhm @ 500mA, 10V 23mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc) 600W (Tc) 1300W (Tc) 520W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 250 V 500 V 200 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B TO-264AA (IXFK) SOT-227B
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Chassis Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) 98A (Tc) 100A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IXFN100 IXFN100 IXFK98 IXFN100
Séries HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 4V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 8mA

Fiche technique IXFN100N10S2 PDF

Téléchargez IXFN100N10S2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFN100N10S2 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Feuilles de données
IXFN100N10S1/2/3.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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