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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFL38N100Q2
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFL38N100Q2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFL38N100Q2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFL38N100Q2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXFL38N100Q2.pdf
État RoHS
En stock: 727

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFL38N100Q2
IXYS - IXFL38N100Q2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFL38N100Q2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOPLUS264™  
Séries HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 19A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 380W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 29A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFL38  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFL38N100Q2

Attributs du produit IXFL38N100Q2 IXFK88N30P IXFN100N50P IXFN100N10S3
Modèle de produit IXFL38N100Q2 IXFK88N30P IXFN100N50P IXFN100N10S3
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Dissipation de puissance (max) 380W (Tc) 600W (Tc) 1040W (Tc) 360W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 29A (Tc) 88A (Tc) 90A (Tc) 100A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA 5V @ 4mA 5V @ 8mA 4V @ 4mA
Emballer Tube Box Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 19A, 10V 40mOhm @ 44A, 10V 49mOhm @ 50A, 10V 15mOhm @ 500mA, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V 6300 pF @ 25 V 20000 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Package composant fournisseur ISOPLUS264™ TO-264AA (IXFK) SOT-227B SOT-227B
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 300 V 500 V 100 V
Séries HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Numéro de produit de base IXFL38 IXFK88 IXFN100 IXFN100

Fiche technique IXFL38N100Q2 PDF

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Feuilles de données
IXFL38N100Q2.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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