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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFK120N65X2
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFK120N65X2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFK120N65X2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFK120N65X2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXF(K,X)120N65X2.pdf
État RoHS
En stock: 2393

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFK120N65X2
IXYS - IXFK120N65X2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFK120N65X2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264AA  
Séries HiPerFET™, Ultra X2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 60A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1250W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFK120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFK120N65X2

Attributs du produit IXFK120N65X2 IXFK120N25P IXFK120N25 IXFK110N07
Modèle de produit IXFK120N65X2 IXFK120N25P IXFK120N25 IXFK110N07
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 110A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Dissipation de puissance (max) 1250W (Tc) 700W (Tc) 560W (Tc) 500W (Tc)
Séries HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-264AA TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15500 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IXFK120 IXFK120 IXFK120 IXFK110
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V 480 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 60A, 10V 24mOhm @ 60A, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 6mOhm @ 55A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA 5V @ 4mA 4V @ 8mA 4V @ 8mA
Tension drain-source (Vdss) 650 V 250 V 250 V 70 V

Fiche technique IXFK120N65X2 PDF

Téléchargez IXFK120N65X2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFK120N65X2 - IXYS.

Feuilles de données
IXF(K,X)120N65X2.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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