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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFK150N15P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFK150N15P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFK150N15P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFK150N15P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 150A TO264AA
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXF(H,K)150N15P.pdf
État RoHS
En stock: 5070

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFK150N15P
IXYS - IXFK150N15P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFK150N15P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK)  
Séries HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 714W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Box  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 150A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFK150  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFK150N15P

Attributs du produit IXFK150N15P IXFK120N30T IXFK140N30P IXFK180N25T
Modèle de produit IXFK150N15P IXFK120N30T IXFK140N30P IXFK180N25T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Séries HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Trench
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5800 pF @ 25 V 20000 pF @ 25 V 14800 pF @ 25 V 28000 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 500mA, 10V 24mOhm @ 60A, 10V 24mOhm @ 70A, 10V 12.9mOhm @ 60A, 10V
Emballer Box Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IXFK150 IXFK120 IXFK140 IXFK180
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 5V @ 4mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 265 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V 345 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 714W (Tc) 960W (Tc) 1040W (Tc) 1390W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 150 V 300 V 300 V 250 V
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 150A (Tc) 120A (Tc) 140A (Tc) 180A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique IXFK150N15P PDF

Téléchargez IXFK150N15P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFK150N15P - IXYS.

Feuilles de données
IXF(H,K)150N15P.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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