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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFK120N30T
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFK120N30T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFK120N30T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFK120N30T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXF(K,X)120N30T.pdf
État RoHS
En stock: 2890

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFK120N30T
IXYS - IXFK120N30T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFK120N30T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK)  
Séries HiPerFET™, Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 60A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 960W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 265 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFK120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFK120N30T

Attributs du produit IXFK120N30T IXFK170N10 IXFK150N10 IXFK120N65X2
Modèle de produit IXFK120N30T IXFK170N10 IXFK150N10 IXFK120N65X2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Numéro de produit de base IXFK120 IXFK170 IXFK150 IXFK120
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 265 nC @ 10 V 515 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HiPerFET™, Trench HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X2
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 960W (Tc) 560W (Tc) 500W (Tc) 1250W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V 10300 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 15500 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 170A (Tc) 150A (Tc) 120A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 4V @ 8mA 4V @ 8mA 5.5V @ 8mA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 60A, 10V 10mOhm @ 500mA, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 24mOhm @ 60A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 300 V 100 V 100 V 650 V
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA

Fiche technique IXFK120N30T PDF

Téléchargez IXFK120N30T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFK120N30T - IXYS.

Feuilles de données
IXF(K,X)120N30T.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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