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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFK16N90Q
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFK16N90Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFK16N90Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFK16N90Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 16A TO264AA
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXF(H,K,T)16N90Q.pdf
État RoHS
En stock: 4020

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFK16N90Q
IXYS - IXFK16N90Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFK16N90Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK)  
Séries HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFK16  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFK16N90Q

Attributs du produit IXFK16N90Q IXFK140N20P IXFK120N65X2 IXFK15N100Q
Modèle de produit IXFK16N90Q IXFK140N20P IXFK120N65X2 IXFK15N100Q
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 5V @ 4mA 5.5V @ 8mA 5V @ 4mA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc) 140A (Tc) 120A (Tc) 15A (Tc)
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA TO-264AA (IXFK)
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 900 V 200 V 650 V 1000 V
Numéro de produit de base IXFK16 IXFK140 IXFK120 IXFK15
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 8A, 10V 18mOhm @ 70A, 10V 24mOhm @ 60A, 10V 700mOhm @ 500mA, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V, 15V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V 15500 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc) 830W (Tc) 1250W (Tc) 360W (Tc)
Séries HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™

Fiche technique IXFK16N90Q PDF

Téléchargez IXFK16N90Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFK16N90Q - IXYS.

Feuilles de données
IXF(H,K,T)16N90Q.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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