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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFK102N30P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFK102N30P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFK102N30P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFK102N30P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXFK102N30P.pdf
État RoHS
En stock: 3803

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFK102N30P
IXYS - IXFK102N30P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFK102N30P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK)  
Séries HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 700W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Box  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 224 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 102A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFK102  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFK102N30P

Attributs du produit IXFK102N30P IXFH88N30P IXFK120N65X2 IXFK120N20P
Modèle de produit IXFK102N30P IXFH88N30P IXFK120N65X2 IXFK120N20P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 5V @ 4mA 5.5V @ 8mA 5V @ 4mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 224 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK) TO-247AD (IXFH) TO-264AA TO-264AA (IXFK)
Séries HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Polar
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 300 V 300 V 650 V 200 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 102A (Tc) 88A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Numéro de produit de base IXFK102 IXFH88 IXFK120 IXFK120
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 700W (Tc) 600W (Tc) 1250W (Tc) 714W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Box Box Tube Box
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V 6300 pF @ 25 V 15500 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 500mA, 10V 40mOhm @ 44A, 10V 24mOhm @ 60A, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IXFK102N30P PDF

Téléchargez IXFK102N30P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFK102N30P - IXYS.

Feuilles de données
IXFK102N30P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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