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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFK120N20P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFK120N20P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFK120N20P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFK120N20P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 120A TO264AA
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXF(H,K)120N20P.pdf
État RoHS
En stock: 3726

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFK120N20P
IXYS - IXFK120N20P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFK120N20P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK)  
Séries HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 714W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Box  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFK120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFK120N20P

Attributs du produit IXFK120N20P IXFK120N25P IXFK120N25 IXFK150N15
Modèle de produit IXFK120N20P IXFK120N25P IXFK120N25 IXFK150N15
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Numéro de produit de base IXFK120 IXFK120 IXFK120 IXFK150
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Box Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 714W (Tc) 700W (Tc) 560W (Tc) 560W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Tension drain-source (Vdss) 200 V 250 V 250 V 150 V
Séries HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 5V @ 4mA 4V @ 8mA 4V @ 8mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 150A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V 24mOhm @ 60A, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 12.5mOhm @ 75A, 10V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)

Fiche technique IXFK120N20P PDF

Téléchargez IXFK120N20P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFK120N20P - IXYS.

Feuilles de données
IXF(H,K)120N20P.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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