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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFH9N80
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFH9N80 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFH9N80
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFH9N80
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXFH(8,9)N80.pdf
État RoHS
En stock: 4780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFH9N80
IXYS - IXFH9N80 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFH9N80

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH)  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFH9  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFH9N80

Attributs du produit IXFH9N80 IXFH88N20Q IXFH90N20X3 IXFH86N30T
Modèle de produit IXFH9N80 IXFH88N20Q IXFH90N20X3 IXFH86N30T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Ultra X3 HiPerFET™, Trench
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc) 88A (Tc) 90A (Tc) 86A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base IXFH9 IXFH88 IXFH90 IXFH86
Tension drain-source (Vdss) 800 V 200 V 200 V 300 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.5mA 4V @ 4mA 4.5V @ 1.5mA 5V @ 4mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V 4150 pF @ 25 V 5420 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc) 500W (Tc) 390W (Tc) 860W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXTH) TO-247AD (IXFH)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 146 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 500mA, 10V 30mOhm @ 44A, 10V 12.8mOhm @ 45A, 10V 43mOhm @ 43A, 10V

Fiche technique IXFH9N80 PDF

Téléchargez IXFH9N80 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFH9N80 - IXYS.

Feuilles de données
IXFH(8,9)N80.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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