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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFE34N100
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFE34N100 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFE34N100
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFE34N100
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFE(36,34)N100.pdf
État RoHS
En stock: 4190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFE34N100
IXYS - IXFE34N100 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFE34N100

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 17A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 580W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Box  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 455 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFE34  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFE34N100

Attributs du produit IXFE34N100 IXFE73N30Q IXFE48N50QD2 IXFE48N50Q
Modèle de produit IXFE34N100 IXFE73N30Q IXFE48N50QD2 IXFE48N50Q
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 66A (Tc) 41A (Tc) 41A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 455 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Emballer Box Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA 4V @ 4mA 4V @ 4mA 4V @ 4mA
Numéro de produit de base IXFE34 IXFE73 IXFE48 IXFE48
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Depletion HiPerFET™, Q Class
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 17A, 10V 46mOhm @ 36.5A, 10V 110mOhm @ 24A, 10V 110mOhm @ 24A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 300 V 500 V 500 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V 6400 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 580W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

Fiche technique IXFE34N100 PDF

Téléchargez IXFE34N100 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFE34N100 - IXYS.

Feuilles de données
IXFE(36,34)N100.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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