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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFE39N90
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFE39N90 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFE39N90
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFE39N90
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 34A SOT227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFE39N90.pdf
En stock: 3810

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFE39N90
IXYS - IXFE39N90 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFE39N90

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 19.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 580W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 375 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFE39  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFE39N90

Attributs du produit IXFE39N90 IXFE44N50QD2 IXFH102N15T IXFE48N50QD2
Modèle de produit IXFE39N90 IXFE44N50QD2 IXFH102N15T IXFE48N50QD2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 375 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc) 39A (Tc) 102A (Tc) 41A (Tc)
Numéro de produit de base IXFE39 IXFE44 IXFH102 IXFE48
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 900 V 500 V 150 V 500 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13400 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V 5220 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Depletion HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Depletion
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 19.5A, 10V 120mOhm @ 22A, 10V 18mOhm @ 500mA, 10V 110mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 4V @ 4mA 5V @ 1mA 4V @ 4mA
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B TO-247AD (IXFH) SOT-227B
Dissipation de puissance (max) 580W (Tc) 400W (Tc) 455W (Tc) 400W (Tc)
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Chassis Mount
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique IXFE39N90 PDF

Téléchargez IXFE39N90 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFE39N90 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Feuilles de données
IXFE39N90.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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