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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleGKI03026
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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GKI03026 - Sanken Electric USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
GKI03026
Fabricant
Sanken Electric USA Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-GKI03026
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
GKI03026.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
Notre certification
En stock: 20989

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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques GKI03026
Sanken Electric USA Inc. - GKI03026 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Sanken Electric USA Inc. - GKI03026

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Sanken Electric USA Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-DFN (5x6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 68A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 77W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4010 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Sanken Electric USA Inc. GKI03026

Attributs du produit GKI03026 GKI06259 SI4850EY-T1 GKI04048
Modèle de produit GKI03026 GKI06259 SI4850EY-T1 GKI04048
Fabricant Sanken Electric USA Inc. Sanken Electric USA Inc. Vishay Siliconix Sanken Electric USA Inc.
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 60 V 60 V 40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4010 pF @ 15 V 1050 pF @ 25 V - 2410 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 68A, 10V 21mOhm @ 12.5A, 10V 22mOhm @ 6A, 10V 5mOhm @ 35.4A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 77W (Tc) 3.1W (Ta), 40W (Tc) 1.7W (Ta) 3.1W (Ta), 59W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 650µA
Package composant fournisseur 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6) 8-SOIC 8-DFN (5x6)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerTDFN
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta) 6A (Ta) 6A (Ta) 14A (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 35.3 nC @ 10 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Séries - - TrenchFET® -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique GKI03026 PDF

Téléchargez GKI03026 PDF DataSheets et Documentation Sanken Electric USA Inc. pour GKI03026 - Sanken Electric USA Inc..

Feuilles de données
GKI03026.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 18/Jun/2021.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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