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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN27N80Q
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN27N80Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN27N80Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN27N80Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFN27N80Q.pdf
État RoHS
En stock: 4410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN27N80Q
IXYS - IXFN27N80Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN27N80Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 520W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 27A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN27  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN27N80Q

Attributs du produit IXFN27N80Q IXFN24N90Q IXFN26N90 IXFN32N100P
Modèle de produit IXFN27N80Q IXFN24N90Q IXFN26N90 IXFN32N100P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Séries HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA - 5V @ 8mA 6.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 500mA, 10V - 300mOhm @ 13A, 10V 320mOhm @ 16A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 27A (Tc) 24A (Tc) 26A (Tc) 27A (Tc)
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IXFN27 IXFN24 IXFN26 IXFN32
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 520W (Tc) 500W (Tc) 600W (Tc) 690W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V - 240 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V - 10800 pF @ 25 V 14200 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 800 V 900 V 900 V 1000 V

Fiche technique IXFN27N80Q PDF

Téléchargez IXFN27N80Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFN27N80Q - IXYS.

Feuilles de données
IXFN27N80Q.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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