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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIPD60R3K3C6
IPD60R3K3C6 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IPD60R3K3C6 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IPD60R3K3C6
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IPD60R3K3C6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IPD60R3K3C6.pdf
En stock: 3870

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IPD60R3K3C6
Infineon Technologies - IPD60R3K3C6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IPD60R3K3C6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3  
Séries CoolMOS™ C6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 18.1W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 93 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.7A (Tc)  
Numéro de produit de base IPD60R  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IPD60R3K3C6

Attributs du produit IPD60R3K3C6 IPD60R520CP IPD60R380P6ATMA1 IPD60R400CEAUMA1
Modèle de produit IPD60R3K3C6 IPD60R520CP IPD60R380P6ATMA1 IPD60R400CEAUMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon
Numéro de produit de base IPD60R IPD60R IPD60R -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.7A (Tc) 6.8A (Tc) 10.6A (Tc) -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Séries CoolMOS™ C6 CoolMOS™ CP CoolMOS™ P6 -
Package composant fournisseur PG-TO252-3 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3 -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.6 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 320µA -
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 18.1W (Tc) 66W (Tc) 83W (Tc) -
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 500mA, 10V 520mOhm @ 3.8A, 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 93 pF @ 100 V 630 pF @ 100 V 877 pF @ 100 V -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -

Fiche technique IPD60R3K3C6 PDF

Téléchargez IPD60R3K3C6 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IPD60R3K3C6 - Infineon Technologies.

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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