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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD60NH03LT4
STD60NH03LT4 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD60NH03LT4 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD60NH03LT4
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD60NH03LT4
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
STD60NH03L(-1).pdf
État RoHS
En stock: 4420

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD60NH03LT4
STMicroelectronics - STD60NH03LT4 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD60NH03LT4

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries STripFET™ III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc)  
Numéro de produit de base STD60N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD60NH03LT4

Attributs du produit STD60NH03LT4 STD64N4F6AG STD60NF3LLT4 STD65N3LLH5
Modèle de produit STD60NH03LT4 STD64N4F6AG STD60NF3LLT4 STD65N3LLH5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 5 V 44 nC @ 10 V 40 nC @ 4.5 V 8 nC @ 4.5 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 4.5V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc) 54A (Tc) 60A (Tc) 65A (Tc)
Séries STripFET™ III Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 STripFET™ II STripFET™ V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V 8.2mOhm @ 27A, 10V 9.5mOhm @ 30A, 10V 6.9mOhm @ 32.5A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base STD60N STD64 STD60N STD65N
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 60W (Tc) 100W (Tc) 50W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 30 V 40 V 30 V 30 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±22V
Package composant fournisseur DPAK DPAK DPAK DPAK
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 2415 pF @ 25 V 2210 pF @ 25 V 1290 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Fiche technique STD60NH03LT4 PDF

Téléchargez STD60NH03LT4 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD60NH03LT4 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STD60NH03L(-1).pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD60NH03LT4

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32D-STD60NH03LT4

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