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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleGKI06259
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

GKI06259 - Sanken Electric USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
GKI06259
Fabricant
Sanken Electric USA Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-GKI06259
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
GKI06259.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 4500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques GKI06259
Sanken Electric USA Inc. - GKI06259 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Sanken Electric USA Inc. - GKI06259

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Sanken Electric USA Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-DFN (5x6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 12.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 40W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Sanken Electric USA Inc. GKI06259

Attributs du produit GKI06259 RJK1052DPB-WS#J5 STP9NK90Z NP45N06VUK-E1-AY
Modèle de produit GKI06259 RJK1052DPB-WS#J5 STP9NK90Z NP45N06VUK-E1-AY
Fabricant Sanken Electric USA Inc. Renesas Electronics America Inc STMicroelectronics Renesas Electronics America Inc
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount - Through Hole Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 12.5A, 10V - 1.3Ohm @ 3.6A, 10V 9.6mOhm @ 23A, 10V
Vgs (Max) ±20V - ±30V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 60 V - 900 V 60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V - 2115 pF @ 25 V 2540 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 10V 10V
Séries - * SuperMESH™ Automotive, AEC-Q101
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V - 72 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta) - 8A (Tc) 45A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA - 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 40W (Tc) - 160W (Tc) 1.8W (Ta), 75W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tray Tube Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerTDFN - TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package composant fournisseur 8-DFN (5x6) - TO-220 TO-263-3
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C

Fiche technique GKI06259 PDF

Téléchargez GKI06259 PDF DataSheets et Documentation Sanken Electric USA Inc. pour GKI06259 - Sanken Electric USA Inc..

PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 18/Jun/2021.pdf
Feuilles de données
GKI06259.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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