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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLI2910PBF
IRLI2910PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLI2910PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLI2910PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLI2910PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IRLI2910PBF.pdf
État RoHS
En stock: 5190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLI2910PBF
Infineon Technologies - IRLI2910PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLI2910PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB Full-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 16A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLI2910PBF

Attributs du produit IRLI2910PBF IRLI2203NPBF IRLI2910 IRLI2203N
Modèle de produit IRLI2910PBF IRLI2203NPBF IRLI2910 IRLI2203N
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak PG-TO220-FP
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 3700 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 16A, 10V 7mOhm @ 37A, 10V 26mOhm @ 16A, 10V 7mOhm @ 37A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc) 61A (Tc) 31A (Tc) 61A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 5 V 110 nC @ 4.5 V 140 nC @ 5 V 110 nC @ 4.5 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tension drain-source (Vdss) 100 V 30 V 100 V 30 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc) 47W (Tc) 63W (Tc) 47W (Tc)

Fiche technique IRLI2910PBF PDF

Téléchargez IRLI2910PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLI2910PBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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