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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleHGTG12N60A4
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HGTG12N60A4 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
HGTG12N60A4
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-HGTG12N60A4
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL IGBT
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
HGTG12N60A4.pdf
État RoHS
En stock: 3790

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HGTG12N60A4
Fairchild Semiconductor - HGTG12N60A4 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - HGTG12N60A4

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A  
Condition de test 390V, 12A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 17ns/96ns  
énergie de commutation 55µJ (on), 50µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-247  
Séries -  
Puissance - Max 167 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 78 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 96 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 54 A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor HGTG12N60A4

Attributs du produit HGTG12N60A4 HGTG11N120CN HGTG10N120BND HGTG18N120BN
Modèle de produit HGTG12N60A4 HGTG11N120CN HGTG10N120BND HGTG18N120BN
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 17ns/96ns 23ns/180ns 23ns/165ns 23ns/170ns
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Package composant fournisseur TO-247 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Emballer Tube Tube Tube Tube
énergie de commutation 55µJ (on), 50µJ (off) 400µJ (on), 1.3mJ (off) 850µJ (on), 800µJ (off) 800µJ (on), 1.8mJ (off)
Puissance - Max 167 W 298 W 298 W 390 W
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de IGBT - NPT NPT NPT
Condition de test 390V, 12A, 10Ohm, 15V 960V, 11A, 10Ohm, 15V 960V, 10A, 10Ohm, 15V 960V, 18A, 3Ohm, 15V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A 2.4V @ 15V, 11A 2.7V @ 15V, 10A 2.7V @ 15V, 18A
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 96 A 80 A 80 A 165 A
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 1200 V 1200 V 1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (max) 54 A 43 A 35 A 54 A
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
gate charge 78 nC 100 nC 100 nC 165 nC

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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