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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleHGTG18N120BN
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HGTG18N120BN - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
HGTG18N120BN
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-HGTG18N120BN
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT, 54A, 1200V, N-CHANNEL, TO-
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
HGTG18N120BN.pdf
État RoHS
En stock: 5390

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HGTG18N120BN
Fairchild Semiconductor - HGTG18N120BN Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - HGTG18N120BN

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 18A  
Condition de test 960V, 18A, 3Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 23ns/170ns  
énergie de commutation 800µJ (on), 1.8mJ (off)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries -  
Puissance - Max 390 W  
Package / Boîte TO-247-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT NPT  
gate charge 165 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 165 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 54 A  
Numéro de produit de base HGTG18  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor HGTG18N120BN

Attributs du produit HGTG18N120BN HGTG11N120CN HGTG20N50C1D HGTG20N60A4D
Modèle de produit HGTG18N120BN HGTG11N120CN HGTG20N50C1D HGTG20N60A4D
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Harris Corporation onsemi
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max 390 W 298 W 75 W 290 W
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V 1200 V 500 V 600 V
Séries - - - -
Emballer Bulk Tube Bulk Tube
Courant - Collecteur (Ic) (max) 54 A 43 A 26 A 70 A
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 165 A 80 A 35 A 280 A
Condition de test 960V, 18A, 3Ohm, 15V 960V, 11A, 10Ohm, 15V - 390V, 20A, 3Ohm, 15V
énergie de commutation 800µJ (on), 1.8mJ (off) 400µJ (on), 1.3mJ (off) - 105µJ (on), 150µJ (off)
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247 TO-247 TO-247-3
gate charge 165 nC 100 nC 33 nC 142 nC
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 18A 2.4V @ 15V, 11A 3.2V @ 20V, 35A 2.7V @ 15V, 20A
type de IGBT NPT NPT - -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 23ns/170ns 23ns/180ns - 15ns/73ns
Numéro de produit de base HGTG18 - - HGTG20N60
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard

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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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