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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleHGTG10N120BND
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HGTG10N120BND - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HGTG10N120BND
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HGTG10N120BND
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
HGTG10N120BND.pdf
État RoHS
En stock: 12285

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HGTG10N120BND
onsemi - HGTG10N120BND Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HGTG10N120BND

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A  
Condition de test 960V, 10A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 23ns/165ns  
énergie de commutation 850µJ (on), 800µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 70 ns  
Puissance - Max 298 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT NPT  
gate charge 100 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 35 A  
Numéro de produit de base HGTG10N120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HGTG10N120BND

Attributs du produit HGTG10N120BND HGTD7N60C3S9A HGTD1N120BNS9A HGT1S7N60C3DS9A
Modèle de produit HGTG10N120BND HGTD7N60C3S9A HGTD1N120BNS9A HGT1S7N60C3DS9A
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Harris Corporation
Courant - Collecteur (Ic) (max) 35 A 14 A 5.3 A 14 A
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
énergie de commutation 850µJ (on), 800µJ (off) 165µJ (on), 600µJ (off) 70µJ (on), 90µJ (off) 165µJ (on), 600µJ (off)
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-263AB
Condition de test 960V, 10A, 10Ohm, 15V - 960V, 1A, 82Ohm, 15V 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 23ns/165ns - 15ns/67ns -
Séries - - - -
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base HGTG10N120 - HGTD1N120 HGT1S7N60
Emballer Tube Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
gate charge 100 nC 23 nC 14 nC 23 nC
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V 600 V 1200 V 600 V
Puissance - Max 298 W 60 W 60 W 60 W
type de IGBT NPT - NPT -
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A 2V @ 15V, 7A 2.9V @ 15V, 1A 2V @ 15V, 7A
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Temps de recouvrement inverse (trr) 70 ns - - 37 ns
Package / Boîte TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80 A 56 A 6 A 56 A

Fiche technique HGTG10N120BND PDF

Téléchargez HGTG10N120BND PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HGTG10N120BND - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
AFGHLx/FCHx/FGHx/HGTGx/NDSHx 29/Jun/2022.pdf
Feuilles de données
HGTG10N120BND.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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