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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleHGTG11N120CND
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HGTG11N120CND - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HGTG11N120CND
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HGTG11N120CND
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT NPT 1200V 43A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
HGTG11N120CND.pdf
État RoHS
En stock: 20427

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HGTG11N120CND
onsemi - HGTG11N120CND Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HGTG11N120CND

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 11A  
Condition de test 960V, 11A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 23ns/180ns  
énergie de commutation 950µJ (on), 1.3mJ (off)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 70 ns  
Puissance - Max 298 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT NPT  
gate charge 100 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 43 A  
Numéro de produit de base HGTG11  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HGTG11N120CND

Attributs du produit HGTG11N120CND HGTG18N120BN HGTG18N120BND HGTG11N120CND
Modèle de produit HGTG11N120CND HGTG18N120BN HGTG18N120BND HGTG11N120CND
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 23ns/180ns 23ns/170ns 23ns/170ns 23ns/180ns
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80 A 165 A 160 A 80 A
Puissance - Max 298 W 390 W 390 W 298 W
énergie de commutation 950µJ (on), 1.3mJ (off) 800µJ (on), 1.8mJ (off) 1.9mJ (on), 1.8mJ (off) 950µJ (on), 1.3mJ (off)
Condition de test 960V, 11A, 10Ohm, 15V 960V, 18A, 3Ohm, 15V 960V, 18A, 3Ohm, 15V 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Numéro de produit de base HGTG11 HGTG18 HGTG18N120 -
Séries - - - -
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 11A 2.7V @ 15V, 18A 2.7V @ 15V, 18A 2.4V @ 15V, 11A
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247
Temps de recouvrement inverse (trr) 70 ns - 75 ns 70 ns
type de IGBT NPT NPT NPT NPT
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Courant - Collecteur (Ic) (max) 43 A 54 A 54 A 43 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V
gate charge 100 nC 165 nC 165 nC 100 nC
Emballer Tube Bulk Tube Bulk

Fiche technique HGTG11N120CND PDF

Téléchargez HGTG11N120CND PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HGTG11N120CND - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf Mult Dev 02/May2023.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Change 27/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
HGTG11N120CND.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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