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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleHGTG12N60A4D
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HGTG12N60A4D - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HGTG12N60A4D
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HGTG12N60A4D
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 54A 167W TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
HGTG12N60A4D, HGTP12N60A4D, HGT1S12N60A4DS.pdf
État RoHS
En stock: 4700

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HGTG12N60A4D
onsemi - HGTG12N60A4D Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HGTG12N60A4D

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A  
Condition de test 390V, 12A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 17ns/96ns  
énergie de commutation 55µJ (on), 50µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 30 ns  
Puissance - Max 167 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 78 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 96 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 54 A  
Numéro de produit de base HGTG12N60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HGTG12N60A4D

Attributs du produit HGTG12N60A4D HGTD7N60C3S9A HGTD8P50G1 HGTG11N120CND
Modèle de produit HGTG12N60A4D HGTD7N60C3S9A HGTD8P50G1 HGTG11N120CND
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Harris Corporation Fairchild Semiconductor
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 54 A 14 A 12 A 43 A
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A 2V @ 15V, 7A 3.7V @ 15V, 8A 2.4V @ 15V, 11A
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-252, (D-Pak) I-PAK TO-247
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Puissance - Max 167 W 60 W 66 W 298 W
Numéro de produit de base HGTG12N60 - - -
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 96 A 56 A 18 A 80 A
Condition de test 390V, 12A, 10Ohm, 15V - - 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V 500 V 1200 V
Temps de recouvrement inverse (trr) 30 ns - - 70 ns
Emballer Tube Bulk Bulk Bulk
énergie de commutation 55µJ (on), 50µJ (off) 165µJ (on), 600µJ (off) - 950µJ (on), 1.3mJ (off)
gate charge 78 nC 23 nC 30 nC 100 nC
Package / Boîte TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-247-3
Séries - - - -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 17ns/96ns - - 23ns/180ns
type de IGBT - - - NPT

Fiche technique HGTG12N60A4D PDF

Téléchargez HGTG12N60A4D PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HGTG12N60A4D - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly/DS Chg 6/Jan/2019.pdf
Feuilles de données
HGTG12N60A4D, HGTP12N60A4D, HGT1S12N60A4DS.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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