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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleHGTD7N60C3S9A
HGTD7N60C3S9A Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HGTD7N60C3S9A - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HGTD7N60C3S9A
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HGTD7N60C3S9A
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 14A TO252AA
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
HGTD7N60C3S, HGTP7N60C3.pdf
État RoHS
En stock: 37590

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HGTD7N60C3S9A
onsemi - HGTD7N60C3S9A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HGTD7N60C3S9A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A  
Condition de test -  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -  
énergie de commutation 165µJ (on), 600µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries -  
Puissance - Max 60 W  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 23 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 56 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 14 A  
Numéro de produit de base HGTD7N60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HGTD7N60C3S9A

Attributs du produit HGTD7N60C3S9A HGT1S7N60C3DS9A HGTG10N120BND HGTG12N60A4
Modèle de produit HGTD7N60C3S9A HGT1S7N60C3DS9A HGTG10N120BND HGTG12N60A4
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 56 A 56 A 80 A 96 A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A 2V @ 15V, 7A 2.7V @ 15V, 10A 2.7V @ 15V, 12A
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max 60 W 60 W 298 W 167 W
Numéro de produit de base HGTD7N60 HGT1S7N60 HGTG10N120 HGTG12N60
gate charge 23 nC 23 nC 100 nC 78 nC
énergie de commutation 165µJ (on), 600µJ (off) 165µJ (on), 600µJ (off) 850µJ (on), 800µJ (off) 55µJ (on), 50µJ (off)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V 1200 V 600 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-247-3 TO-247-3
Package composant fournisseur TO-252AA D²PAK (TO-263) TO-247-3 TO-247-3
Td (marche / arrêt) à 25 ° C - - 23ns/165ns 17ns/96ns
Séries - - - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 14 A 14 A 35 A 54 A
Condition de test - 480V, 7A, 50Ohm, 15V 960V, 10A, 10Ohm, 15V 390V, 12A, 10Ohm, 15V
type de IGBT - - NPT -

Fiche technique HGTD7N60C3S9A PDF

Téléchargez HGTD7N60C3S9A PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HGTD7N60C3S9A - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 13/Aug/2020.pdf
Feuilles de données
HGTD7N60C3S, HGTP7N60C3.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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