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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL40SC228
IRL40SC228 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL40SC228 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL40SC228
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL40SC228
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Fiche technique
IRL40SC228.pdf
État RoHS
En stock: 11902

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL40SC228
Infineon Technologies - IRL40SC228 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL40SC228

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK (7-Lead)  
Séries StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.65mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 416W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 19680 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 307 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 557A (Tc)  
Numéro de produit de base IRL40SC228  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL40SC228

Attributs du produit IRL40SC228 IRL40B212 IRL40B215 IRL510S
Modèle de produit IRL40SC228 IRL40B212 IRL40B215 IRL510S
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Séries StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ -
Package composant fournisseur D2PAK (7-Lead) TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 2.4V @ 150µA 2.4V @ 100µA 2V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 19680 pF @ 25 V 8320 pF @ 25 V 5225 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Numéro de produit de base IRL40SC228 IRL40B212 IRL40B215 IRL510
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 100 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 307 nC @ 4.5 V 137 nC @ 4.5 V 84 nC @ 4.5 V 6.1 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.65mOhm @ 100A, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 2.7mOhm @ 98A, 10V 540mOhm @ 3.4A, 5V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 5V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 416W (Tc) 231W (Tc) 143W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 557A (Tc) 195A (Tc) 120A (Tc) 5.6A (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube

Fiche technique IRL40SC228 PDF

Téléchargez IRL40SC228 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL40SC228 - Infineon Technologies.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Chgs 15/Mar/2022.pdf

Mode de transport

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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRL40SC228

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32D-IRL40SC228

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