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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL510STRLPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL510STRLPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRL510STRLPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRL510STRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRL510S, SiHL510S.pdf
État RoHS
En stock: 29773

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL510STRLPBF
Vishay Siliconix - IRL510STRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRL510STRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 3.4A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.6A (Tc)  
Numéro de produit de base IRL510  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRL510STRLPBF

Attributs du produit IRL510STRLPBF IRL40SC209 IRL520LPBF IRL40SC228
Modèle de produit IRL510STRLPBF IRL40SC209 IRL520LPBF IRL40SC228
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 15270 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 19680 pF @ 25 V
Séries - StrongIRFET™ - StrongIRFET™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 3.4A, 5V 0.8mOhm @ 100A, 10V 270mOhm @ 5.5A, 5V 0.65mOhm @ 100A, 10V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D2PAK (7-Lead) TO-262-3 D2PAK (7-Lead)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 40 V 100 V 40 V
Numéro de produit de base IRL510 IRL40SC209 IRL520 IRL40SC228
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 375W (Tc) 60W (Tc) 416W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.6A (Tc) 478A (Tc) 9.2A (Tc) 557A (Tc)
Vgs (Max) ±10V ±20V ±10V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 267 nC @ 4.5 V 12 nC @ 5 V 307 nC @ 4.5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4.5V, 10V 4V, 5V 4.5V, 10V

Fiche technique IRL510STRLPBF PDF

Téléchargez IRL510STRLPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRL510STRLPBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRL510S, SiHL510S.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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