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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL510A
IRL510A Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL510A - onsemi

Fabricant Modèle de produit
IRL510A
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-IRL510A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
IRL510A.pdf
En stock: 3910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL510A
onsemi - IRL510A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - IRL510A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 2.8A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 37W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.6A (Tc)  
Numéro de produit de base IRL51  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi IRL510A

Attributs du produit IRL510A IRL520 IRL40B215 IRL3803VSPBF
Modèle de produit IRL510A IRL520 IRL40B215 IRL3803VSPBF
Fabricant onsemi Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 2.8A, 5V 270mOhm @ 5.5A, 5V 2.7mOhm @ 98A, 10V 5.5mOhm @ 71A, 10V
Numéro de produit de base IRL51 IRL520 IRL40B215 -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V 84 nC @ 4.5 V 76 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V ±10V ±20V ±16V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 4V, 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Séries - - HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.6A (Tc) 9.2A (Tc) 120A (Tc) 140A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 100µA 1V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220AB TO-220AB D2PAK
Dissipation de puissance (max) 37W (Tc) 60W (Tc) 143W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 40 V 30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 5225 pF @ 25 V 3720 pF @ 25 V

Fiche technique IRL510A PDF

Téléchargez IRL510A PDF DataSheets et Documentation onsemi pour IRL510A - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf IRL510A.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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