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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL3803VSPBF
IRL3803VSPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL3803VSPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL3803VSPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL3803VSPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRL3803VSPbF(LPbF).pdf
État RoHS
En stock: 4780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL3803VSPBF
Infineon Technologies - IRL3803VSPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL3803VSPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 71A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3720 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 140A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL3803VSPBF

Attributs du produit IRL3803VSPBF IRL510 IRL40B215 IRL40SC209
Modèle de produit IRL3803VSPBF IRL510 IRL40B215 IRL40SC209
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4V, 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±16V ±10V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 4.5 V 6.1 nC @ 5 V 84 nC @ 4.5 V 267 nC @ 4.5 V
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries HEXFET® - HEXFET®, StrongIRFET™ StrongIRFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 71A, 10V 540mOhm @ 3.4A, 5V 2.7mOhm @ 98A, 10V 0.8mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 43W (Tc) 143W (Tc) 375W (Tc)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 100 V 40 V 40 V
Package composant fournisseur D2PAK TO-220AB TO-220AB D2PAK (7-Lead)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3720 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 5225 pF @ 25 V 15270 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 140A (Tc) 5.6A (Tc) 120A (Tc) 478A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 100µA 2.4V @ 250µA

Fiche technique IRL3803VSPBF PDF

Téléchargez IRL3803VSPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL3803VSPBF - Infineon Technologies.

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Feuilles de données
IRL3803VSPbF(LPbF).pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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