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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL40B215
IRL40B215 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL40B215 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL40B215
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL40B215
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRL40B215.pdf
État RoHS
En stock: 4560

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL40B215
Infineon Technologies - IRL40B215 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL40B215

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 98A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 143W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5225 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base IRL40B215  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL40B215

Attributs du produit IRL40B215 IRL510A IRL510S IRL3803STRL
Modèle de produit IRL40B215 IRL510A IRL510S IRL3803STRL
Fabricant Infineon Technologies onsemi Vishay Siliconix Infineon Technologies
Numéro de produit de base IRL40B215 IRL51 IRL510 -
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 40 V 100 V 100 V 30 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 5.6A (Tc) 5.6A (Tc) 140A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±10V ±16V
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220-3 D²PAK (TO-263) D2PAK
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 143W (Tc) 37W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5225 pF @ 25 V 235 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 98A, 10V 440mOhm @ 2.8A, 5V 540mOhm @ 3.4A, 5V 6mOhm @ 71A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 5V 4V, 5V 4.5V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 4.5 V 8 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 140 nC @ 4.5 V
Emballer Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Séries HEXFET®, StrongIRFET™ - - HEXFET®

Fiche technique IRL40B215 PDF

Téléchargez IRL40B215 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL40B215 - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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