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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL40B215
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IRL40B215 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL40B215
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL40B215
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRL40B215.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4560

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRL40B215
Infineon Technologies - IRL40B215 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL40B215

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 98A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 143W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5225 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base IRL40B215  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL40B215

Attributs du produit IRL40B215 IRL510PBF IRL510 IRL40SC209
Modèle de produit IRL40B215 IRL510PBF IRL510 IRL40SC209
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Numéro de produit de base IRL40B215 IRL510 IRL510 IRL40SC209
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 40 V 100 V 100 V 40 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 5.6A (Tc) 5.6A (Tc) 478A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±10V ±10V ±20V
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB TO-220AB D2PAK (7-Lead)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 143W (Tc) 43W (Tc) 43W (Tc) 375W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5225 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 15270 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 98A, 10V 540mOhm @ 3.4A, 5V 540mOhm @ 3.4A, 5V 0.8mOhm @ 100A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4V, 5V 4V, 5V 4.5V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 4.5 V 6.1 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 267 nC @ 4.5 V
Emballer Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Séries HEXFET®, StrongIRFET™ - - StrongIRFET™

Fiche technique IRL40B215 PDF

Téléchargez IRL40B215 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL40B215 - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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