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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL510PBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IRL510PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRL510PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRL510PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRL510PBF.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 58780

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRL510PBF
Vishay Siliconix - IRL510PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRL510PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 3.4A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.6A (Tc)  
Numéro de produit de base IRL510  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRL510PBF

Attributs du produit IRL510PBF IRL40SC228 IRL510A IRL520LPBF
Modèle de produit IRL510PBF IRL40SC228 IRL510A IRL520LPBF
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies onsemi Vishay Siliconix
Numéro de produit de base IRL510 IRL40SC228 IRL51 IRL520
Vgs (Max) ±10V ±20V ±20V ±10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 3.4A, 5V 0.65mOhm @ 100A, 10V 440mOhm @ 2.8A, 5V 270mOhm @ 5.5A, 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 19680 pF @ 25 V 235 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc) 416W (Tc) 37W (Tc) 60W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4.5V, 10V 5V 4V, 5V
Séries - StrongIRFET™ - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.6A (Tc) 557A (Tc) 5.6A (Tc) 9.2A (Tc)
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK (7-Lead) TO-220-3 TO-262-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 100 V 40 V 100 V 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 307 nC @ 4.5 V 8 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IRL510PBF PDF

Téléchargez IRL510PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRL510PBF - Vishay Siliconix.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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