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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFS3307ZPBF
IRFS3307ZPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFS3307ZPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFS3307ZPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFS3307ZPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFS3307ZPBF.pdf
État RoHS
En stock: 4380

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFS3307ZPBF
Infineon Technologies - IRFS3307ZPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFS3307ZPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4750 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFS3307ZPBF

Attributs du produit IRFS3307ZPBF IRFS33N15D IRFS3307ZTRRPBF IRFS3307TRLPBF
Modèle de produit IRFS3307ZPBF IRFS33N15D IRFS3307ZTRRPBF IRFS3307TRLPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4750 pF @ 50 V 2020 pF @ 25 V 4750 pF @ 50 V 5150 pF @ 50 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 75A, 10V 56mOhm @ 20A, 10V 5.8mOhm @ 75A, 10V 6.3mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 230W (Tc) 200W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 75 V 150 V 75 V 75 V
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 5.5V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 33A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)

Fiche technique IRFS3307ZPBF PDF

Téléchargez IRFS3307ZPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFS3307ZPBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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