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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFS3307ZTRRPBF
IRFS3307ZTRRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFS3307ZTRRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFS3307ZTRRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFS3307ZTRRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFS3307ZTRRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 13395

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFS3307ZTRRPBF
Infineon Technologies - IRFS3307ZTRRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFS3307ZTRRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4750 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFS3307  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFS3307ZTRRPBF

Attributs du produit IRFS3307ZTRRPBF IRFS33N15DPBF IRFS3307 IRFS3307ZTRLPBF
Modèle de produit IRFS3307ZTRRPBF IRFS33N15DPBF IRFS3307 IRFS3307ZTRLPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4750 pF @ 50 V 2020 pF @ 25 V 5150 pF @ 50 V 4750 pF @ 50 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 33A (Tc) 130A (Tc) 120A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 75 V 150 V 75 V 75 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Numéro de produit de base IRFS3307 - - IRFS3307
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 5.5V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 75A, 10V 56mOhm @ 20A, 10V 6.3mOhm @ 75A, 10V 5.8mOhm @ 75A, 10V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 250W (Tc) 230W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D2PAK D2PAK D2PAK

Fiche technique IRFS3307ZTRRPBF PDF

Téléchargez IRFS3307ZTRRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFS3307ZTRRPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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