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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFS33N15DPBF
IRFS33N15DPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFS33N15DPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFS33N15DPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFS33N15DPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFS33N15DPBF.pdf
En stock: 5310

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFS33N15DPBF
Infineon Technologies - IRFS33N15DPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFS33N15DPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2020 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFS33N15DPBF

Attributs du produit IRFS33N15DPBF IRFS350A IRFS3307TRLPBF IRFS3507
Modèle de produit IRFS33N15DPBF IRFS350A IRFS3307TRLPBF IRFS3507
Fabricant Infineon Technologies onsemi Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 92W (Tc) 200W (Tc) 190W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 150 V 400 V 75 V 75 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-3P-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2020 pF @ 25 V 2780 pF @ 25 V 5150 pF @ 50 V 3540 pF @ 50 V
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc) 11.5A (Tc) 120A (Tc) 97A (Tc)
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 20A, 10V 300mOhm @ 5.75A, 10V 6.3mOhm @ 75A, 10V 8.8mOhm @ 58A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Package composant fournisseur D2PAK TO-3PF D2PAK D2PAK
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V

Fiche technique IRFS33N15DPBF PDF

Téléchargez IRFS33N15DPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFS33N15DPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 25/Apr/2014.pdf
Conception / spécification PCN
Material Chg 24/Nov/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Alternate Assembly Site 11/Nov/2013.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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