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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFS33N15DTRLP
IRFS33N15DTRLP Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFS33N15DTRLP - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFS33N15DTRLP
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFS33N15DTRLP
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFB, IRFS(L)33N15D.pdf
État RoHS
En stock: 5400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFS33N15DTRLP
Infineon Technologies - IRFS33N15DTRLP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFS33N15DTRLP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2020 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFS33N15DTRLP

Attributs du produit IRFS33N15DTRLP IRFS350A IRFS3307ZTRRPBF IRFS3507
Modèle de produit IRFS33N15DTRLP IRFS350A IRFS3307ZTRRPBF IRFS3507
Fabricant Infineon Technologies Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 20A, 10V 300mOhm @ 5.75A, 10V 5.8mOhm @ 75A, 10V 8.8mOhm @ 58A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2020 pF @ 25 V 2780 pF @ 25 V 4750 pF @ 50 V 3540 pF @ 50 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 150 V 400 V 75 V 75 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 100µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc) 11.5A (Tc) 120A (Tc) 97A (Tc)
Package composant fournisseur D2PAK TO-3PF D²PAK (TO-263) D2PAK
Fonction FET - - - -
Séries HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 92W (Tc) 230W (Tc) 190W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-3P-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique IRFS33N15DTRLP PDF

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Feuilles de données
IRFB, IRFS(L)33N15D.pdf

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Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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