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IRFS3306TRLPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFS3306TRLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFS3306TRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFS3306TRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFS3306TRLPBF.pdf
État RoHS
En stock: 19998

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies - IRFS3306TRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFS3306TRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4520 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFS3306  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFS3306TRLPBF

Attributs du produit IRFS3306TRLPBF IRFS3307ZPBF IRFS3207TRLPBF IRFS3307
Modèle de produit IRFS3306TRLPBF IRFS3307ZPBF IRFS3207TRLPBF IRFS3307
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 75 V 75 V 75 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4520 pF @ 50 V 4750 pF @ 50 V 7600 pF @ 50 V 5150 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc) 230W (Tc) 300W (Tc) 250W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base IRFS3306 - IRFS3207 -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 170A (Tc) 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 75A, 10V 5.8mOhm @ 75A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 6.3mOhm @ 75A, 10V

Fiche technique IRFS3306TRLPBF PDF

Téléchargez IRFS3306TRLPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFS3306TRLPBF - Infineon Technologies.

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