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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH5306TR2PBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH5306TR2PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH5306TR2PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH5306TR2PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IRFH5306TR2PBF.pdf
En stock: 3790

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH5306TR2PBF
Infineon Technologies - IRFH5306TR2PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH5306TR2PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PQFN (5x6) Single Die  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 15A, 10V  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1125 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta), 44A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH5306TR2PBF

Attributs du produit IRFH5306TR2PBF IRFH5306TRPBF IRFH5303TRPBF IRFH5302TRPBF
Modèle de produit IRFH5306TR2PBF IRFH5306TRPBF IRFH5303TRPBF IRFH5302TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur PQFN (5x6) Single Die PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) Single Die
Emballer Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 100µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 41 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1125 pF @ 15 V 1125 pF @ 15 V 2190 pF @ 15 V 4400 pF @ 15 V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 15A, 10V 8.1mOhm @ 15A, 10V 4.2mOhm @ 49A, 10V 2.1mOhm @ 50A, 10V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Séries - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta), 44A (Tc) 15A (Ta), 44A (Tc) 23A (Ta), 82A (Tc) 32A (Ta), 100A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique IRFH5306TR2PBF PDF

Téléchargez IRFH5306TR2PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH5306TR2PBF - Infineon Technologies.

Assemblage / origine PCN
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 13/Nov/2013.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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