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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH5303TR2PBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH5303TR2PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH5303TR2PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH5303TR2PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IRFH5303TR2PBF.pdf
En stock: 4450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH5303TR2PBF
Infineon Technologies - IRFH5303TR2PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH5303TR2PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 49A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 46W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2190 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta), 82A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH5303TR2PBF

Attributs du produit IRFH5303TR2PBF IRFH5303TRPBF IRFH5306TR2PBF IRFH5302TRPBF
Modèle de produit IRFH5303TR2PBF IRFH5303TRPBF IRFH5306TR2PBF IRFH5302TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V 76 nC @ 10 V
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) Single Die PQFN (5x6) Single Die
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 46W (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) - 3.6W (Ta), 100W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 100µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta), 82A (Tc) 23A (Ta), 82A (Tc) 15A (Ta), 44A (Tc) 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 49A, 10V 4.2mOhm @ 49A, 10V 8.1mOhm @ 15A, 10V 2.1mOhm @ 50A, 10V
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2190 pF @ 15 V 2190 pF @ 15 V 1125 pF @ 15 V 4400 pF @ 15 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -

Fiche technique IRFH5303TR2PBF PDF

Téléchargez IRFH5303TR2PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH5303TR2PBF - Infineon Technologies.

Assemblage / origine PCN
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
Informations environnementales
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 13/Nov/2013.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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