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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH5304TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH5304TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH5304TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH5304TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IRFH5304TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 92570

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH5304TRPBF
Infineon Technologies - IRFH5304TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH5304TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 47A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 46W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2360 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta), 79A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFH5304  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH5304TRPBF

Attributs du produit IRFH5304TRPBF IRFH5304TR2PBF IRFH5302DTRPBF IRFH5406TRPBF
Modèle de produit IRFH5304TRPBF IRFH5304TR2PBF IRFH5302DTRPBF IRFH5406TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 47A, 10V 4.5mOhm @ 47A, 10V 2.5mOhm @ 50A, 10V 14.4mOhm @ 24A, 10V
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2360 pF @ 10 V 2360 pF @ 10 V 3635 pF @ 25 V 1256 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 60 V
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta), 79A (Tc) 22A (Ta), 79A (Tc) 29A (Ta), 100A (Tc) 11A (Ta), 40A (Tc)
Numéro de produit de base IRFH5304 - IRFH5302 IRFH5406
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 46W (Tc) - 3.6W (Ta), 104W (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 100µA 4V @ 50µA
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries HEXFET® - HEXFET® HEXFET®

Fiche technique IRFH5304TRPBF PDF

Téléchargez IRFH5304TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH5304TRPBF - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 9/Nov/2022.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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