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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH5303TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH5303TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH5303TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH5303TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IRFH5303TRPBF.pdf
En stock: 4870

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH5303TRPBF
Infineon Technologies - IRFH5303TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH5303TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 49A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 46W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2190 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta), 82A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH5303TRPBF

Attributs du produit IRFH5303TRPBF IRFH5406TR2PBF IRFH5302DTR2PBF IRFH5304TRPBF
Modèle de produit IRFH5303TRPBF IRFH5406TR2PBF IRFH5302DTR2PBF IRFH5304TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA 4V @ 50µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 50µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Vgs (Max) ±20V - - ±20V
Séries HEXFET® - - HEXFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta), 82A (Tc) 11A (Ta), 40A (Tc) 29A (Ta), 100A (Tc) 22A (Ta), 79A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 46W (Tc) - - 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - - 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 60 V 30 V 30 V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2190 pF @ 15 V 1256 pF @ 25 V 3635 pF @ 25 V 2360 pF @ 10 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 49A, 10V 14.4mOhm @ 24A, 10V 2.5mOhm @ 50A, 10V 4.5mOhm @ 47A, 10V
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IRFH5303TRPBF PDF

Téléchargez IRFH5303TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH5303TRPBF - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
Informations environnementales
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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