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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH5406TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH5406TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH5406TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH5406TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IRFH5406TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 4230

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH5406TRPBF
Infineon Technologies - IRFH5406TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH5406TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 24A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 46W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1256 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 40A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFH5406  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH5406TRPBF

Attributs du produit IRFH5406TRPBF IRFH5304TRPBF IRFH5306TR2PBF IRFH5303TRPBF
Modèle de produit IRFH5406TRPBF IRFH5304TRPBF IRFH5306TR2PBF IRFH5303TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA 2.35V @ 50µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 50µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 40A (Tc) 22A (Ta), 79A (Tc) 15A (Ta), 44A (Tc) 23A (Ta), 82A (Tc)
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Numéro de produit de base IRFH5406 IRFH5304 - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1256 pF @ 25 V 2360 pF @ 10 V 1125 pF @ 15 V 2190 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 46W (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) - 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 24A, 10V 4.5mOhm @ 47A, 10V 8.1mOhm @ 15A, 10V 4.2mOhm @ 49A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V 30 V 30 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V 41 nC @ 10 V

Fiche technique IRFH5406TRPBF PDF

Téléchargez IRFH5406TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH5406TRPBF - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
Informations environnementales
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 9/Nov/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
IRFHyyy Supplier Chg 26/Feb/2018.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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