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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH6200TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH6200TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH6200TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH6200TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IRFH6200TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 39627

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH6200TRPBF
Infineon Technologies - IRFH6200TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH6200TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 150µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 156W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10890 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 49A (Ta), 100A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFH6200  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH6200TRPBF

Attributs du produit IRFH6200TRPBF IRFH5406TR2PBF IRFH5304TRPBF IRFH7004TR2PBF
Modèle de produit IRFH6200TRPBF IRFH5406TR2PBF IRFH5304TRPBF IRFH7004TR2PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 156W (Tc) - 3.6W (Ta), 46W (Tc) -
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 50A, 10V 14.4mOhm @ 24A, 10V 4.5mOhm @ 47A, 10V 1.4mOhm @ 100A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 10V - 4.5V, 10V -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 60 V 30 V 40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10890 pF @ 10 V 1256 pF @ 25 V 2360 pF @ 10 V 6419 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 49A (Ta), 100A (Tc) 11A (Ta), 40A (Tc) 22A (Ta), 79A (Tc) 100A (Tc)
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±12V - ±20V -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 150µA 4V @ 50µA 2.35V @ 50µA 3.9V @ 150µA
Numéro de produit de base IRFH6200 - IRFH5304 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 4.5 V 35 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 194 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Séries HEXFET® - HEXFET® -
Emballer Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Fiche technique IRFH6200TRPBF PDF

Téléchargez IRFH6200TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH6200TRPBF - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
Informations environnementales
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Site Revision 03/Feb/2015.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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