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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF5810TRPBF
IRF5810TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF5810TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF5810TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF5810TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
IRF5810PBF.pdf
En stock: 4460

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF5810TRPBF
Infineon Technologies - IRF5810TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF5810TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-TSOP  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V  
Puissance - Max 960mW  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 16V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.9A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF58  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF5810TRPBF

Attributs du produit IRF5810TRPBF IRF5851TRPBF IRF5852TRPBF IRF5850TRPBF
Modèle de produit IRF5810TRPBF IRF5851TRPBF IRF5852TRPBF IRF5850TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base IRF58 IRF58 IRF58 IRF58
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.25V @ 250µA 1.25V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Package composant fournisseur 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Configuration 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 16V 400pF @ 15V 400pF @ 15V 320pF @ 15V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Puissance - Max 960mW 960mW 960mW 960mW
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V 5.4nC @ 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.9A 2.7A, 2.2A 2.7A 2.2A

Fiche technique IRF5810TRPBF PDF

Téléchargez IRF5810TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF5810TRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Feuilles de données
IRF5810PBF.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 14/Dec/2012.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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